［DiaryPoint＝记者崔承振］中国存储芯片厂商CXMT于10月30日表示，已完成基于4F²结构的第六代DRAM工艺平台工程样品验证。这显示产品研发取得进展，但并不意味着能够很快拉低手机或PC内存价格的产品已经上市。
4F²指单个DRAM存储单元所占的面积。F是工艺中的最小线宽，4F²单元的面积即为4F²。若与目前广泛使用的6F²结构采用相同线宽，单元面积理论上可缩小约三分之一，从而有望在相同面积内存储更多数据。
通过垂直布局单元节省空间
DRAM通过密集排列存储电荷的单元来保存数据。4F²结构将晶体管垂直放置，以缩小单元的布局空间。单元面积变小后，有望提高芯片单位面积的存储容量，或让相同容量的芯片尺寸更小。
不过，单元面积缩小并不意味着成品价格会按相同比例下降。实际存储芯片还包括外围电路和输入输出结构，工艺难度、良率、产量以及客户认证也都会影响成本和供应量。4F²结构的理论集成度与消费者购买的存储产品价格，需要分开看待。
此次发布仍处于样品验证阶段
CXMT公布的是工程样品完成验证。这是研发过程中的一个重要进展，但仅凭公开信息，尚无法确认具体容量和速度、良率、客户评估结果及量产规模。公司提到将逐步推进量产，但没有公布消费级产品的上市时间或供应量。
三星电子也在2026年国际固态电路会议（ISSCC）上公布了采用垂直沟道晶体管的4F² DRAM研究成果。布局下一代存储单元结构的并非只有CXMT。SK海力士也在研究下一代DRAM结构，但仅凭此次CXMT的发布，无法断定各厂商之间的量产差距或性能优劣。
要影响智能手机LPDDR或PC内存价格，经过验证的产品还需要获得客户采用，并实现有一定规模的供货。此次发布展现的是更早阶段的技术进展。CXMT之后公布的产品规格、量产时间和供应规模，将成为判断消费级存储市场是否出现变化的关键因素。