［DiaryPoint＝記者崔承振］中國記憶體廠商CXMT於10月30日表示，已完成以4F²為基礎的第六代DRAM製程平台工程樣品驗證。這代表產品研發有所進展，但不表示能立即降低手機或PC記憶體價格的產品已經上市。
4F²指的是單一DRAM儲存單元所占的面積。F代表製程使用的最小線寬，4F²單元的面積即為4F²。若與目前廣泛使用的6F²結構採用相同線寬，單元面積理論上可縮小約三分之一，因此同樣面積可能容納更多資料。
讓單元垂直排列以節省空間
DRAM透過密集排列儲存電荷的單元來保存資料。4F²結構將電晶體垂直設置，以縮小單元排列所需的空間。單元面積縮小後，有望提高晶片單位面積的儲存容量，或讓相同容量的晶片尺寸更小。
不過，單元面積縮小，不代表成品價格會按相同比例下跌。實際記憶體晶片還包含周邊電路與輸入輸出結構，製程難度、良率、產量及客戶認證也都會影響成本和供應量。4F²結構的理論密度，與消費者購買的記憶體產品價格，應分開看待。
此次發布仍在樣品驗證階段
CXMT公布的是工程樣品完成驗證。這是研發過程中的重要進展，但僅憑公開資料，尚無法確認具體容量與速度、良率、客戶評估結果及量產規模。公司提到將逐步推進量產，但未公布消費級產品的上市時程或供應量。
三星電子也在2026年國際固態電路會議（ISSCC）公布採用垂直通道電晶體的4F² DRAM研究成果。投入下一代儲存單元結構的並非只有CXMT。SK海力士也在研究下一代DRAM結構，但單憑這次CXMT的發布，無法判定各廠商的量產差距或效能優勢。
若要影響智慧型手機LPDDR或PC記憶體價格，經過驗證的產品還必須獲得客戶採用，並達到具一定規模的供貨量。此次發布呈現的是更前期的技術進展。CXMT後續公布的產品規格、量產時程與供應規模，將是觀察消費級記憶體市場變化的重要指標。