[다이어리포인트=김정훈 기자] 검찰이 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노급 D램 국가핵심기술을 중국으로 유출한 전직 삼성전자 임직원 10명을 재판에 넘겼다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 23일 삼성전자 전직 상무 출신인 창신메모리테크놀로지(CXMT) 개발실장 A씨 등 핵심 개발인력 5명을 구속기소하고 파트별 개발책임자 등 5명을 불구속기소했다고 밝혔다.
창신메모리는 2016년 설립 직후부터 삼성전자의 핵심 인력을 영입하며 삼성이 5년간 1조6000억원을 투자해 개발한 10나노대 D램 공정기술을 통째로 확보했다. 검찰에 따르면 삼성전자 연구원 출신 C씨는 이직 전 D램 제조 공정의 각 단계별 공정명과 설비정보 등 약 600단계로 구성된 핵심 공정정보를 손으로 베껴 적어 유출한 것으로 드러났다.
검찰 수사 결과 창신메모리는 삼성전자 기술뿐 아니라 SK하이닉스의 D램 공정정보까지 불법으로 취득한 사실도 확인됐다. 창신메모리 클린공정 담당 G씨는 2020년 6월 SK하이닉스 협력업체를 통해 SK하이닉스의 국가핵심기술이자 영업비밀인 D램 공정정보를 불법으로 취득했다.
창신메모리는 유출받은 삼성전자와 SK하이닉스의 기술을 토대로 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다. 검찰은 중국 현지에서 이뤄진 개발 전 과정의 범행을 직접 수사로 확인했으며 삼성전자의 실제 D램 제품을 분해해 유출자료를 검증하고 이를 토대로 제조 테스트를 진행한 사실을 밝혀냈다.
검찰은 이번 기술 유출로 인한 경제적 피해 규모가 막대하다고 분석했다. 삼성전자의 손해 규모는 지난해 매출 감소액 기준 약 5조원으로 추정되며 향후 국가 경제에 발생하는 피해액은 수십조원 수준에 달할 것으로 예상했다.
유출에 가담한 A씨 등 핵심 개발인력들은 창신메모리로부터 4~6년간 각각 15억~30억원의 급여를 받은 것으로 조사됐다. 검찰은 A씨가 1심에서 징역 7년을 선고받았으며 나머지 구속 기소된 피고인들도 중형이 예상된다고 밝혔다.
이번 사건을 계기로 반도체 등 국가 핵심기술 유출에 대한 법적 억지력 강화가 필요하다는 목소리가 높아지고 있다. 전문가들은 "현행 산업기술보호법만으로는 기술 유출을 막기 어렵다"며 "개인의 일탈이 아닌 국가 안보 차원의 범죄로 봐야 한다"고 지적하고 있다.
검찰은 이번 수사를 통해 국내뿐 아니라 중국 현지에서 이뤄진 개발 범행 전모를 밝혀내며 향후 유사 사건에 대한 엄정 대응 의지를 분명히 했다.
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