사진=SK hynix
사진=SK hynix

[다이어리포인트=엄주용 기자] SK하이닉스가 48GB 용량의 12단 적층 고대역폭메모리(HBM) HBM4E 실물을 공개했다. 인공지능(AI)용 메모리 시장에서 차세대 제품 경쟁이 본격화하는 가운데 기존 HBM4E 샘플 공급에서 실제 전시 단계로 공개 범위를 넓혔다.

SK하이닉스는 지난 23일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 TSMC 오픈 이노베이션 플랫폼(OIP) 콘퍼런스에 참가해 HBM4E 48GB 12단 제품을 전시했다. 현장에는 HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단, AI 서버용 메모리 모듈 SOCAMM2 등도 함께 공개됐다.

HBM4E는 HBM4보다 한 단계 진화한 차세대 AI용 초고성능 D램이다. SK하이닉스는 지난 6월 주요 고객사에 12단 HBM4E 샘플을 공급했다고 발표하면서 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도와 HBM4 대비 20% 이상 개선된 전력 효율을 제시했다. 12단 적층으로 48GB 용량을 구현했고, 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 구조 안정성을 높였다고 설명했다.

열 관리 성능도 개선됐다. 회사 발표에 따르면 HBM4E의 열 저항은 이전 세대 HBM4보다 17% 낮아졌다. 고대역폭 환경에서 안정적으로 동작하도록 최신 인터페이스와 설계를 적용해 AI 학습과 추론, 대규모 데이터센터의 처리 효율 향상을 겨냥했다.

이번 행사에서는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 베라 루빈에 적용되는 HBM4 36GB 12단 제품과 96GB SOCAMM2도 소개됐다. SK하이닉스는 TSMC의 첨단 패키징 기술인 CoWoS를 활용해 차세대 HBM5를 검증해 왔으며, TSMC의 3DFabric-HBM Integration 부문 올해의 파트너상을 2년 연속 받았다고 밝혔다.

SK하이닉스는 HBM뿐 아니라 서버용 D램과 기업용 SSD 사업도 차세대 AI 인프라 시장에 맞춰 확장하고 있다. PCIe 6세대와 7세대 SSD에는 기능별 칩렛을 UCIe로 연결하는 구조를 적용하는 방안을 준비 중이다. 다만 HBM4E의 구체적인 양산 시점과 고객별 공급 일정은 이번 공개에서 별도로 확정되지 않았다.