[다이어리포인트=김정훈 기자] 중국 메모리 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 4F² 구조를 적용한 차세대 DDR5 서버용 메모리 모듈을 올해 말까지 공개하겠다고 밝혔다. 제품의 세부 사양과 출시일, 대량생산 가능 여부는 아직 확인되지 않았다.
CXMT의 차오칸위 최고경영자는 지난 9~10일 중국 상하이에서 열린 제4회 집적회로 및 칩렛 콘퍼런스에서 4F² 구조 개발의 주요 진전을 설명하고, 이 기술을 적용한 DDR5 등록 메모리 모듈(RDIMM)을 연말까지 서버용으로 선보이겠다고 말했다.
4F²는 하나의 메모리 셀이 차지하는 면적을 4F로 설계하는 방식이다. 현재 업계 주류인 6F² 구조보다 같은 면적에 더 많은 저장 셀을 배치할 수 있어 메모리 집적도를 높이는 데 유리하다. CXMT는 전류 누설 문제를 줄이기 위한 수직 서라운드 게이트(VSG) 트랜지스터 기술을 개발했으며, 메모리 셀과 주변 로직을 따로 최적화하는 하이브리드 본딩도 연구하고 있다고 설명했다.
서버용 RDIMM은 24시간 연속 운용과 고속 데이터 전송 과정의 안정성, 중앙처리장치와 메인보드 간 호환성 등을 확보해야 한다. CXMT 측은 서버 메모리 제품이 소비자용 메모리보다 높은 내구성과 호환성 검증을 요구한다고 밝혔다.
이번 계획대로라면 CXMT는 삼성전자보다 4F² 기반 제품 공개 일정에서 앞서게 된다. 삼성전자는 4F² 구조를 적용한 10나노미터급 이하 D램의 양산 목표 시점을 2028년으로 제시한 것으로 전해졌다. 다만 기술 적용과 안정적인 대량생산 체계 확보는 별개의 문제여서, CXMT의 실제 수율과 성능 우위는 제품 공개와 검증이 이뤄져야 판단할 수 있다.
CXMT는 지난달 5세대 D램 기술 플랫폼인 G5 플랫폼의 양산을 공식 발표하고, 해당 플랫폼을 기반으로 한 24기가비트 LPDDR5X 제품을 공개했다. 회사는 G5 플랫폼의 메모리 어레이 액티브 영역 하프 피치가 11.95나노미터이며, 이전 세대보다 웨이퍼당 다이 수가 50% 이상 늘었다고 밝혔다. 이번 4F² 서버 메모리는 G5 플랫폼 양산 발표와는 별도로 추진되는 차세대 제품 계획이다.
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